ELEKTRONIKTECHNOLOGIE UND MIKROELECTRONIK-WESENTLICHE FAKTOREN DES WISSENSCHAFTLICHTECHNISCHEN FORTSCHRITTS. VI: WISSENSCHAFTLICHE KONFERENZ DER INGENIEURHOCHSCHULE MITTWEIDA VOM 8. BIS 10. SEPTEMBER 1982 = LA TECHNOLOGIE ELECTRONIQUE ET LA MICROELECTRONIQUE, FACTEURS ESSENTIELS DU PROGRES SCIENTIFIQUE ET TECHNIQUE. 6EME CONFERENCE SCIENTIFIQUE DE L'ECOLE D'INGENIEURS DE MITTWEIDA, DU 8 AU 10 SEPTEMBRE 1982ZSCHERPE G.1982; NACHRICHTENTECHNIK. ELEKTRONIK; ISSN 0323-4657; DDR; DA. 1982; VOL. 32; NO 8; PP. 312Article

BEARBEITUNG DUENNER SCHICHTEN MIT LASERSTRAHLUNG. = USINAGE DES COUCHES MINCES PAR RAYONNEMENT LASERWOLF R; ZSCHERPE G.1976; FEINGERAETETECHNIK; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 25; NO 5; PP. 206-207; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 16 REF.Article

MIKROBEARBEITUNG MIT LASERSTRAHLUNG-GRUNDLAGEN UND ANWENDUNGSBEISPIELE. = MICROUSINAGE PAR UN RAYON LASER. THEORIE ET EXEMPLES D'UTILISATIONZSCHERPE G.1976; FEINGERAETETECHNIK; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 25; NO 10; PP. 444-447; BIBL. 16 REF.Article

UNTERSUCHUNGEN ZUR REINDICHTE- UND ROHDICHTEBESTIMMUNG VON BRAUNKOHLEN IM LABOR, AM ANSTEHENDEN UND IN BOHRUNGEN. = DENSITE BRUTE ET NETTE DES LIGNITES: DETERMINATION AU LABORATOIRE, IN SITU ET EN SONDAGE.ZSCHERPE G.1971; NEUE BERGBAUTECH.; ALL; 1971, VOL. 7, NUM. 0001, P. 487 A 492Miscellaneous

THEORETISCHE BETRACHTUNGEN ZUM ERWAERMUNGSVERHALTEN VON AL₂O₃-KERAMIK BEI DER LASERBEARBEITUNG = CONSIDERATIONS THEORIQUES SUR L'ECHAUFFEMENT DE CERAMIQUE AL₂O₃ SOUMISE AU RAYONNEMENT LASERBURGHARDT W; ZSCHERPE G.1980; SILIKATTECHNIK; ISSN 0037-5233; DDR; DA. 1980; VOL. 31; NO 12; PP. 367-368; ABS. RUS/ENG/FRE; BIBL. 16 REF.Article

DIE BESTIMMUNG DES SPEZIFISCHEN ELEKTRISCHEN WIDERSTANDS VON BRAUNKOHLEN IM LABOR ZUR KORRELATION MIT TECHNOLOGISCHEN EIGENSCHAFTEN. (RESISTANCE ELECTRIQUE DU LIGNITE EN RAPPORT AVEC SES PROPRIETES TECHNOLOGIQUES).ROESLER R; ZSCHERPE G.1970; Z. ANGEW. GEOL.; DDR; 1970, VOL. 16, NUM. 0011-0012, P. 449 A 455Miscellaneous

TEMPERATURFELDER BEI DER LASERBESTRAHLUNG VON SILIZIUM = LA DISTRIBUTION DE LA TEMPERATURE DANS LE SILICIUM SOUS IRRADIATION PAR LASERBURGHARDT W; ZSCHERPE G.1979; FEINGERAETETECHNIK; DDR; DA. 1979; VOL. 28; NO 2; PP. 71-72; BIBL. 10 REF.Article

BESCHRIFTUNG VON SILIZIUMHALBEITERSCHEIBEN MIT HILFE DER LASERTECHNIK = L'INSCRIPTION AU LASER SUR DES DISQUES DE SILICIUM SEMI-CONDUCTEURSLAEMMEL B; ZSCHERPE G; FRICKE P et al.1979; FEINGERAETETECHNIK; DDR; DA. 1979; VOL. 28; NO 1; PP. 14-15; BIBL. 1 REF.Article

Absorption and laser damage resistance of TiO₂ thin films deposited on laser-irradiated substratesWOLF, R; STEIGER, B; ZSCHERPE, G et al.Thin solid films. 1988, Vol 162, pp 217-221, issn 0040-6090Article

Characterization of the intensity distribution in a single laser spot applied to annealing of ion-implanted siliconJOHANSEN, H; BARTSCH, H; EXNER, H et al.Crystal research and technology (1979). 1986, Vol 21, Num 1, pp 79-87, issn 0232-1300Article

Deposition of laser mirrors by laser beam evaporationBRAUNS, B; SCHÄFER, D; WOLF, R et al.Optica acta. 1986, Vol 33, Num 5, pp 545-547, issn 0030-3909Article

Absorption-influenced laser damage resistance of Ta₂O₅ coatingsWOLF, R; ZSCHERPE, G; WELSCH, E et al.Optica acta. 1986, Vol 33, Num 7, pp 919-924, issn 0030-3909Article

Ageing influence on the absorption and laser damage resistance of Ta₂O₅ thin filmsWOLF, R; ZSCHERPE, G; WELSCH, E et al.Journal of modern optics (Print). 1987, Vol 34, Num 12, pp 1585-1588, issn 0950-0340Article

Laser-assisted methods for deposition, diagnostics and modification of optical thin filmsSCHAÊFER, D; BRAUNS, B; WOLF, R et al.Vacuum. 1990, Vol 41, Num 4-6, pp 1084-1086, issn 0042-207X, 3 p.Conference Paper